Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer
文献类型：外文期刊
| 作者 | Jia, R; Kasai, S; Wang, Q; Long, SB; Bin Niu, J; Li, ZG; Liu, M |
| 发表日期 | 2007 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8764]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jia, R,Kasai, S,Wang, Q,et al. Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。