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DEPOSITION OF GALLIUM OXIDE AND INDIUM OXIDE ON GAAS FOR IN-SITU PROCESS USE BY ALTERNATING SUPPLY OF TEGA, TMIN, AND H2O2 AS SURGE PULSES

文献类型:外文期刊

作者OZASA, K; YE, TC; AOYAGI, Y
发表日期1994
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8822]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
OZASA, K,YE, TC,AOYAGI, Y. DEPOSITION OF GALLIUM OXIDE AND INDIUM OXIDE ON GAAS FOR IN-SITU PROCESS USE BY ALTERNATING SUPPLY OF TEGA, TMIN, AND H2O2 AS SURGE PULSES. 1994.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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