创新单级环形振荡器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄强; 彭杰; 张峥; 范涛; 袁国顺 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:11页码:4，1144-1147 |
| 关键词 | 环形振荡器 单级 低功耗 交叉耦合 相移 |
| ISSN号 | 1003-354X |
| 其他题名 | Research and Fabrication of a Novel Single Stage Ring Oscillator |
| 英文摘要 | 提出了一款创新的单级环形振荡电路。该电路通过采用交叉耦合结构,制造额外的极点,使单级放大电路的相位交点总是发生在增益交点之前,此时根据巴克豪森准则,电路在环路相移为180°时增益仍然大于1,因此电路可持续振荡。此外,为了验证该振荡器的实用性,设计了一款以该振荡器作为VCO的可编程锁相环。电路采用标准0.5μm CMOS工艺制造,流片结果显示该电路最高能工作在1.005 GHz,此时相位噪声达到-81 dBc/Hz@1 MHz.[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2292]  |
| 专题 | 微电子研究所_北京中科微电子 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄强,彭杰,张峥,等. 创新单级环形振荡器的研制[J]. 半导体技术,2009,34(11):4，1144-1147. |
| APA | 黄强,彭杰,张峥,范涛,&袁国顺.(2009).创新单级环形振荡器的研制.半导体技术,34(11),4，1144-1147. |
| MLA | 黄强,et al."创新单级环形振荡器的研制".半导体技术 34.11(2009):4，1144-1147. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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