互补型CMOS基准电压源
文献类型：专利
| 作者 | 袁国顺; 范涛 |
| 发表日期 | 2009-07-24 |
| 专利号 | CN101625575 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种互补型CMOS基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS基准 电压源包括：参考电流产生电路，用于产生参考电流；NMOS管补偿产生电路，用于复制参考 电流作为漏电流，产生与温度成反比例变化的栅源电压；PMOS管补偿产生电路，用于复制参 考电流作为漏电流，产生与温度成正比例变化的栅源电压；比例求和电路，用于将正比例变 化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和，产生不随温度变化的电压。本发明提 供的纯CMOS工艺实现的基准电压源结构，利用NMOS和PMOS晶体管的不同漏电流区域的温度特 性，将正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和，产生不随温度变化的 参考电压。 |
| 公开日期 | 2010-01-13 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8576]  |
| 专题 | 微电子研究所_北京中科微电子 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁国顺,范涛. 互补型CMOS基准电压源. CN101625575. 2009-07-24. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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