带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源
文献类型：专利
| 作者 | 袁国顺; 范涛 |
| 发表日期 | 2009-06-17 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源，包括：PTAT电流产生电路，用于产生与绝对温度成正比的PTAT电流IPTAT；CTAT电流产生电路，用于产生CTAT电流ICTAT；闭环补偿电流产生电路，用于产生闭环补偿电流ICL；熔丝校准电路，用于对工艺偏差进行校准；输出基准电压产生电路，用于产生参考电压源Vref；所述PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连接，所述CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连接，所述输出基准电压产生电路分别与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连接。利用本发明，有效地提高了补偿电流的精确度，进而提高了输出参考电压的温度稳定性。 |
| 公开日期 | 2016-03-31 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14593]  |
| 专题 | 微电子研究所_北京中科微电子 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁国顺,范涛. 带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源. 2009-06-17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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