同步辐射X射线光刻实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱樟震; 谢常青
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 6页码:2，45-46 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线光刻 X射线掩模 侧墙工艺 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用侧墙工艺技术研制深亚微米Ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射Ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/552]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱樟震,谢常青. 同步辐射X射线光刻实验研究[J]. 半导体技术,1997(6):2，45-46. |
| APA | 朱樟震,&谢常青.(1997).同步辐射X射线光刻实验研究.半导体技术(6),2，45-46. |
| MLA | 朱樟震,et al."同步辐射X射线光刻实验研究".半导体技术 .6(1997):2，45-46. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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