阻变存储器及其集成技术研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘琦 ; 王艳; 李颖弢; 左青云; 刘明; 龙世兵; 王琴; 胡媛; 张森
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:4页码:6，546-551 |
| 关键词 | 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变 Ir |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 其他题名 | Progress in Development of Resistive RAM and Its -Integration Technology |
| 英文摘要 | 在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器（RRAM）具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构，分类总结了常用的材料以及制备工艺，对RRAM阵列的集成方案进行了比较，并讨论了目前存在的问题；最后，对RRAM的研究趋势进行了展望。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2174]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘琦,王艳,李颖弢,等. 阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 微电子学,2009,39(4):6，546-551. |
| APA | 刘琦.,王艳.,李颖弢.,左青云.,刘明.,...&张森.(2009).阻变存储器及其集成技术研究进展.微电子学,39(4),6，546-551. |
| MLA | 刘琦,et al."阻变存储器及其集成技术研究进展".微电子学 39.4(2009):6，546-551. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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