电荷俘获存储器中俘获层的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘璟 ; 杨仕谦; 王永; 杨潇楠; 陈军宁; 代月花; 刘明; 龙世兵; 王琴; 张满红
|
| 刊名 | 微纳电子技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 46期号:9页码:8，518-524,539 |
| 关键词 | 高k材料 非挥发性存储器（nvm） 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 随着45nm和32nm技术节点的来临，传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势；着重对电荷俘获存储器的俘获层，包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅（α-SiOxNy）俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析，并对其进一步的研究趋势进行了展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2180]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘璟,杨仕谦,王永,等. 电荷俘获存储器中俘获层的研究进展[J]. 微纳电子技术,2009,46(9):8，518-524,539. |
| APA | 刘璟.,杨仕谦.,王永.,杨潇楠.,陈军宁.,...&李德君.(2009).电荷俘获存储器中俘获层的研究进展.微纳电子技术,46(9),8，518-524,539. |
| MLA | 刘璟,et al."电荷俘获存储器中俘获层的研究进展".微纳电子技术 46.9(2009):8，518-524,539. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。