高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘璟 ; 刘明; 郭婷婷; 杨仕谦; 胡媛; 龙世兵; 王琴
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:3页码:6，414-419 |
| 关键词 | 高k介质 非挥发性存储器 隧穿层 俘获层 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 随着微电子技术节点不断向前推进，基于传统浮栅结构的非挥发性存储器（NVM）技术遇到严重的技术难点，其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限，很难继续减薄。作为改进措施，引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展；最后，对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2182]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘璟,刘明,郭婷婷,等. 高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用[J]. 微电子学,2009,39(3):6，414-419. |
| APA | 刘璟.,刘明.,郭婷婷.,杨仕谦.,胡媛.,...&王琴.(2009).高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用.微电子学,39(3),6，414-419. |
| MLA | 刘璟,et al."高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用".微电子学 39.3(2009):6，414-419. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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