随着器件尺寸的缩小，阻变存储器（RRAM）具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧，直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性，研究了器件的阻变特性；详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制，即导电细丝（filament）、空间电荷限制电流效应（SCLC）、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应（Schottky emission）以及普尔-法兰克效应（Pool—Frenkel）；同时，对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。