一种具有非对称电学特性的阻变存储器
文献类型:专利
作者 | 龙世兵![]() ![]() ![]() |
专利号 | CN200910077524.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种具有非对称电学特性的阻变存储器,包括:上电极;下电极;以及包含在上电极和下电极之间的具有阻变特性的阻变层薄膜。本发明的阻变存储器具有非对称的电学特性,在低阻态时具有整流作用,自身能够抑制串扰现象。本发明的阻变存储器具有结构简单,易集成,成本低的优点,有利于本发明的广泛推广和应用。 |
公开日期 | 2010-07-21 |
申请日期 | 2009-01-21 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8398] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 龙世兵,刘明,左青云. 一种具有非对称电学特性的阻变存储器. CN200910077524.X. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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