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一种具有非对称电学特性的阻变存储器

文献类型:专利

作者龙世兵; 刘明; 左青云
专利号CN200910077524.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种具有非对称电学特性的阻变存储器,包括:上电极;下电极;以及包含在上电极和下电极之间的具有阻变特性的阻变层薄膜。本发明的阻变存储器具有非对称的电学特性,在低阻态时具有整流作用,自身能够抑制串扰现象。本发明的阻变存储器具有结构简单,易集成,成本低的优点,有利于本发明的广泛推广和应用。

公开日期2010-07-21
申请日期2009-01-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8398]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
龙世兵,刘明,左青云. 一种具有非对称电学特性的阻变存储器. CN200910077524.X.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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