本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了 解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提 供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图 形和导电沟道，通过光学光刻和剥离方式制作源、漏接触电极，通过电子束蒸 发手段制备薄层硅，然后通过快速热退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子 点，最后通过剥离工艺制作栅电极。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子 工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子存储器具有很大的一致性，且操作电 压低、功耗小。