Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions
文献类型：外文期刊
| 作者 | Zuo, QY; Liu, Q; Long, SB; Wang, W; Zhang, S; Chen, JN; Liu, M |
| 发表日期 | 2009 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8872]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zuo, QY,Liu, Q,Long, SB,et al. Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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