Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications
文献类型：外文期刊
| 作者 | Liu, Q; Wang, Y; Liu, M; Yang, JH; Zuo, QY; Li, YT; Zhang, S; Zhang, MH; Wang, Q; Wang, W |
| 发表日期 | 2010 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8918]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Q,Wang, Y,Liu, M,et al. Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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