Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications
文献类型：外文期刊
| 作者 | Liu, M; Liu, S; Liu, Q; Zhang, MH; Long, SB; Li, YT; Shao, LB; Zhang, S; Wang, Y; Zuo, QY |
| 发表日期 | 2010 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8924]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, M,Liu, S,Liu, Q,et al. Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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