ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application
文献类型：外文期刊
| 作者 | Li, YT; Long, SB; Zuo, QY; Shao, LB; Wang, Q; Zhang, S; Yang, SQ; Wang, Y; Liu, M; Liu, Q |
| 发表日期 | 2010 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8934]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, YT,Long, SB,Zuo, QY,et al. ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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