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有机存储器件、阵列及其制造方法

文献类型:专利

作者王宏; 韩买兴; 商立伟; 陈映平; 刘欣; 刘明; 姬濯宇
专利号CN201110131034.0
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明实施例公开了一种有机存储器件,包括:衬底;衬底上的下电极;下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜,其中,不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成;第二有机薄膜上的上电极。通过在两层有机薄膜中间形成了不连续的金属薄膜,由于该金属薄膜由岛状金属颗粒形成,通过这些岛状金属颗粒来增强有机薄膜的电荷捕获能力,从而使不具备转变特性或转变特性不好的有机材料具有好的转变特性,从而提高存储器件的存储及数据保持功能。

公开日期2012-11-21
申请日期2011-05-19
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10285]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王宏,韩买兴,商立伟,等. 有机存储器件、阵列及其制造方法. CN201110131034.0.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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