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提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构

文献类型:专利

作者刘明; 连文泰; 龙世兵; 吕杭炳; 刘琦; 李颖弢; 张森; 王艳
专利号CN201110066233.8
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明属微电子领域,具体涉及一种非挥发性存储器在嵌入式系统应用中提高其可靠性的结构和操作方法。本发明设计了一种将若干个电阻随机存储器的存储单元进行并联的结构,同时对整个并联系统采用电流扫描的编程方法,可以大大提高该系统的反复擦写次数,延长其使用寿命,从而提高整个系统在嵌入式应用中的可靠性。

公开日期2012-09-19
申请日期2011-03-18
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10303]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,连文泰,龙世兵,等. 提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构. CN201110066233.8.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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