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非挥发性电阻转变存储器

文献类型:专利

作者吕杭炳; 连文泰; 刘琦; 龙世兵; 刘明
专利号CN201110022467.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明属微电子领域,具体涉及一种提高非挥发性存储器数据保持特性的器件结构。本发明基于固态电解液体系的电阻转变存储器,在新器件结构中将提供形成电阻转变细丝的可供离子源和电阻转变存储层之间用一层阻挡层进行分离,大大提高了器件中数据的保持能力,从而提高了电阻转变存储器的可靠性。

公开日期2012-07-25
申请日期2011-01-20
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10311]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吕杭炳,连文泰,刘琦,等. 非挥发性电阻转变存储器. CN201110022467.2.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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