非挥发性电阻转变存储器
文献类型:专利
作者 | 吕杭炳![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
专利号 | CN201110022467.2 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明属微电子领域,具体涉及一种提高非挥发性存储器数据保持特性的器件结构。本发明基于固态电解液体系的电阻转变存储器,在新器件结构中将提供形成电阻转变细丝的可供离子源和电阻转变存储层之间用一层阻挡层进行分离,大大提高了器件中数据的保持能力,从而提高了电阻转变存储器的可靠性。 |
公开日期 | 2012-07-25 |
申请日期 | 2011-01-20 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10311] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕杭炳,连文泰,刘琦,等. 非挥发性电阻转变存储器. CN201110022467.2. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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