本发明公开了一种阻变存储单元的编程方法。该方法包括：施加置位信号于阻变存储单元，在阻变存储单元上电极和下电极之间形成导电细丝，阻变存储单元转变为低阻态；施加复位信号于阻变存储单元，使导电细丝部分溶解，阻变存储单元由低阻态转变为高阻态；再次施加置位信号于阻变存储单元，部分溶解的导电细丝在置位信号的作用下，继续生长，直至重新连接阻变存储单元的上电极和下电极，阻变存储单元由高阻态转变为低阻态。本发明的阻变存储单元的编程方法具有下列有益效果：1、可以提高阻变存储单元电阻转变性能参数均一性；2、可以提高阻变存储单元的编程速度。