本发明公开了一种新型的一次编程存储器，包括：上电极；下电极；以及包含在上电极和下电极之间的阻变功能材料，属于微电子制造和存储器技术领域。本发明所述的一种新型的一次编程存储器件主要基于阻变存储材料，并且能够在不同的编程电流或编程电压下，到得不同的电阻值，实现多级存储；由于器件本身具有自整流特性，能够抑制交叉阵列结构中的读串扰现象。本发明所述的一种新型的一次编程存储器件，具有结构简单，易集成，集成密度高，成本低，可与CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。