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电阻转变存储器阵列及对其进行存储操作的方法

文献类型:专利

作者刘琦; 龙世兵; 连文泰; 刘明; 谢常青; 吕杭炳
专利号CN201110175959.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种电阻转变存储器阵列,包括:多条字线、多条位线、以及多个电阻转换存储单元,每个电阻转换存储单元位于一条字线和一条位线的交叉区;每个电阻转变存储单元包括一个电阻转变存储器件和一个选通器件,在电阻转变存储器件的下电极上引出一个监控电极,用于分别监测电阻转变存储器件和选通器件的性能。本发明同时公开了一种对电阻转变存储器阵列进行写或读操作的方法。本发明由于采用晶体管作为阵列中的选通器件,可以有效控制电阻转变存储器件置位过程中流经存储器件的电流,同时由于在电阻转变存储单元中,选通器件与存储器件直接相连,可以有效避免在传统限流方式由于寄生电容引起的电流过冲现象。

公开日期2013-01-02
申请日期2011-06-28
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10379]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘琦,龙世兵,连文泰,等. 电阻转变存储器阵列及对其进行存储操作的方法. CN201110175959.5.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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