本发明公开了一种阻变存储器及降低其形成(Forming)电压的方法，该阻变存储器包括上电极、下电极，以及形成于该上电极与该下电极之间的阻变存储层，且该阻变存储层由氧化物存储材料构成，当采用溅射或者原子层淀积的工艺生长氧化物存储材料时，通过对提供氧元素的反应源的控制来减少氧化物中氧元素的含量，使氧化物材料中存在大量的氧空位，有利于导电细丝的形成，从而降低阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所需要的Forming电压。Forming电压的降低一方面能够进一步降低RRAM器件的功耗，并且降低了RRAM器件外围电路设计的难度。