有机场效应晶体管存储器的编程方法
文献类型：专利
| 作者 | 王宏 ; 姬濯宇; 商立伟; 刘明; 陈映平; 王艳花; 韩买兴; 刘欣
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| 专利号 | CN201110065340.9 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的存储窗口和电流开关比。 |
| 公开日期 | 2012-09-19 |
| 申请日期 | 2011-03-17 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10523]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宏,姬濯宇,商立伟,等. 有机场效应晶体管存储器的编程方法. CN201110065340.9. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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