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光存储单元、光存储器及其制备方法

文献类型:专利

作者刘明; 王宏; 王艳花; 姬濯宇; 商立伟; 陈映平; 韩买兴; 刘欣
专利号CN201110076540.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中,通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层,光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中,当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中,不会消失,因此,回滞效应在光照撤掉后依然存在,从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。  

公开日期2012-10-10
申请日期2011-03-29
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10529]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,王宏,王艳花,等. 光存储单元、光存储器及其制备方法. CN201110076540.4.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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