本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种与CMOS工艺兼容的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，包括：上电极、下电极以及包含在上电极与下电极之间的功能层薄膜。本发明的整流器件能够提供更高的电流密度，与存储器器件串联后形成的1D1R结构能抑制交叉阵列结构存储器中的串扰现象。本发明的用于交叉阵列结构存储器的整流器件器件具有结构简单，易集成，成本低的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。