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一种制备双面PN结太阳能电池的方法

文献类型:专利

作者贾锐; 朱晨昕; 李昊峰; 张培文; 李维龙; 陈晨; 赵盛杰; 刘明
发表日期2012-11-14
专利号CN200910080050.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法,包括:在晶硅基板的正反面制备绒面结构;将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散,形成双面PN结结构;在晶硅基板背面光刻并腐蚀,形成太阳能电池正极栅槽;在晶硅基板的正反面氧化形成SiO2膜,并沉积Si3N4膜;在晶硅基板的正反面涂覆光刻胶,光刻曝光显影,形成电池背面正负极图形和电池正面负电极图形;在晶硅基板的正反面蒸发金属电极,并进行剥离工艺;合金退火,制备出双面PN结太阳能电池。本发明利用晶硅电池的双PN结来工作,最终达到高效转换的目的,具有工艺步骤少、简单、能与大生产线上的工艺兼容,易于实现大规模生产。

公开日期2010-09-22
申请日期2009-03-18
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/11649]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
贾锐,朱晨昕,李昊峰,等. 一种制备双面PN结太阳能电池的方法. CN200910080050.4. 2012-11-14.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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