一种制备双面PN结太阳能电池的方法
文献类型:专利
作者 | 贾锐![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2012-11-14 |
专利号 | CN200910080050.4 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法,包括:在晶硅基板的正反面制备绒面结构;将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散,形成双面PN结结构;在晶硅基板背面光刻并腐蚀,形成太阳能电池正极栅槽;在晶硅基板的正反面氧化形成SiO2膜,并沉积Si3N4膜;在晶硅基板的正反面涂覆光刻胶,光刻曝光显影,形成电池背面正负极图形和电池正面负电极图形;在晶硅基板的正反面蒸发金属电极,并进行剥离工艺;合金退火,制备出双面PN结太阳能电池。本发明利用晶硅电池的双PN结来工作,最终达到高效转换的目的,具有工艺步骤少、简单、能与大生产线上的工艺兼容,易于实现大规模生产。 |
公开日期 | 2010-09-22 |
申请日期 | 2009-03-18 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11649] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾锐,朱晨昕,李昊峰,等. 一种制备双面PN结太阳能电池的方法. CN200910080050.4. 2012-11-14. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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