Optimization of HfO2 Growth Pr℃ess by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu M(刘明) ; Chen GX(陈国星); Huo ZL(霍宗亮); Zhao SJ(赵盛杰)
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| 刊名 | ECS transactions
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| 出版日期 | 2013-05-01 |
| 公开日期 | 2014-10-22 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11826]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Liu M(刘明) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu M,Chen GX,Huo ZL,et al. Optimization of HfO2 Growth Pr℃ess by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application[J]. ECS transactions,2013. |
| APA | Liu M,Chen GX,Huo ZL,&Zhao SJ.(2013).Optimization of HfO2 Growth Pr℃ess by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application.ECS transactions. |
| MLA | Liu M,et al."Optimization of HfO2 Growth Pr℃ess by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application".ECS transactions (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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