Comparison of N2 and O2 anneal on the integrity of Al2O3/ Si3N4 /SiO2/Si memory gate stack”, international conference on nanoscience &technology
文献类型：会议论文
| 作者 | Chu YQ(褚玉琼); Huo ZL(霍宗亮) ; Liu M(刘明)
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| 出版日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11846]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Liu M(刘明) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chu YQ,Huo ZL,Liu M. Comparison of N2 and O2 anneal on the integrity of Al2O3/ Si3N4 /SiO2/Si memory gate stack”, international conference on nanoscience &technology[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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