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An overview of the switching parameter variation of RRAM

文献类型:期刊论文

作者Wang GM(王国明); Sun PX(孙鹏霄); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明); Li Y(李阳); Xu XX(许晓欣); Liu HT(刘红涛); Liu RY(刘若愚)
刊名Chin. Sci. Bull.
出版日期2014-11-05
语种英语
公开日期2015-04-14
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12496]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
通讯作者Long SB(龙世兵)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang GM,Sun PX,Sun HT,et al. An overview of the switching parameter variation of RRAM[J]. Chin. Sci. Bull.,2014.
APA Wang GM.,Sun PX.,Sun HT.,Liu Q.,Lv HB.,...&Long SB.(2014).An overview of the switching parameter variation of RRAM.Chin. Sci. Bull..
MLA Wang GM,et al."An overview of the switching parameter variation of RRAM".Chin. Sci. Bull. (2014).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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