Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu HT(刘宏涛); Lv HB(吕杭炳) ; Yang BH(杨保和); Xu XX(许晓欣); Liu RY(刘若愚); Liu Q(刘琦); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2014-11-30 |
| 公开日期 | 2015-04-14 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12510]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Lv HB(吕杭炳) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu HT,Lv HB,Yang BH,et al. Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching[J]. Electron Device Letters,2014. |
| APA | Liu HT.,Lv HB.,Yang BH.,Xu XX.,Liu RY.,...&Liu M.(2014).Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching.Electron Device Letters. |
| MLA | Liu HT,et al."Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching".Electron Device Letters (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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