Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack
文献类型:期刊论文
作者 | Chu YQ(褚玉琼); Zhang MH(张满红)![]() ![]() ![]() |
刊名 | Chinese Physics B
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出版日期 | 2014-06-10 |
公开日期 | 2015-04-15 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12520] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
通讯作者 | Chu YQ(褚玉琼) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,et al. Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack[J]. Chinese Physics B,2014. |
APA | Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,&Liu M.(2014).Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack.Chinese Physics B. |
MLA | Chu YQ,et al."Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack".Chinese Physics B (2014). |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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