Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chu YQ(褚玉琼); Zhang MH(张满红) ; Huo ZL(霍宗亮); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2014-06-10 |
| 公开日期 | 2015-04-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12520]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Chu YQ(褚玉琼) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,et al. Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack[J]. Chinese Physics B,2014. |
| APA | Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,&Liu M.(2014).Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack.Chinese Physics B. |
| MLA | Chu YQ,et al."Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack".Chinese Physics B (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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