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Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack

文献类型:期刊论文

作者Chu YQ(褚玉琼); Zhang MH(张满红); Huo ZL(霍宗亮); Liu M(刘明)
刊名Chinese Physics B
出版日期2014-06-10
公开日期2015-04-15
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12520]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
通讯作者Chu YQ(褚玉琼)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,et al. Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack[J]. Chinese Physics B,2014.
APA Chu YQ,Zhang MH,Huo ZL,&Liu M.(2014).Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack.Chinese Physics B.
MLA Chu YQ,et al."Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack".Chinese Physics B (2014).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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