Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han YL(韩宇龙); Chen GX(陈国星); Huo ZL(霍宗亮) ; Jin L(靳磊); Li XK(李新开); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2014-07-07 |
| 公开日期 | 2015-04-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12522]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Huo ZL(霍宗亮) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han YL,Chen GX,Huo ZL,et al. Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier[J]. Electron Device Letters,2014. |
| APA | Han YL,Chen GX,Huo ZL,Jin L,Li XK,&Liu M.(2014).Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier.Electron Device Letters. |
| MLA | Han YL,et al."Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier".Electron Device Letters (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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