Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin L(靳磊) ; Huo ZL(霍宗亮); Zhao SJ(赵盛杰); Han YL(韩宇龙); Chen GX(陈国星); Liu M(刘明); Zhang D(张冬)
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| 刊名 | semiconductor science and technology
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| 出版日期 | 2014-02-26 |
| 公开日期 | 2015-04-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12524]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 通讯作者 | Huo ZL(霍宗亮) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin L,Huo ZL,Zhao SJ,et al. Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application[J]. semiconductor science and technology,2014. |
| APA | Jin L.,Huo ZL.,Zhao SJ.,Han YL.,Chen GX.,...&Zhang D.(2014).Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application.semiconductor science and technology. |
| MLA | Jin L,et al."Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application".semiconductor science and technology (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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