本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层；以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管，具有性能高、工艺简单、重复性好，并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。