随着MOS器件的按比例缩小，MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点方向，MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为，栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素，对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究者们提出的众多陷阱表征方法，本文在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上，对已有的界面陷阱和氧化层陷阱的表征方法进行了系统的调查总结和分析，并追踪和详细阐述了表征技术的新进展。