采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 郑志威; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘璟
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2011-10-01 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-09-23 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13546]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,郑志威,霍宗亮,等. 采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器[J]. Chinese Physics B,2011. |
| APA | 刘明,郑志威,霍宗亮,朱晨昕,许中广,&刘璟.(2011).采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器.Chinese Physics B. |
| MLA | 刘明,et al."采用Al2O3/HfSiO堆叠阻挡层的改进型电荷俘获存储器".Chinese Physics B (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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