Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang S(张森) ; Lian WT(连文泰); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦); Long SB(龙世兵); Wang W(王慰); Wang Y(王艳); Li YT(李颖弢); Liu M(刘明)
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| 刊名 | IEEEELECTRONDEVICELETTERS
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| 出版日期 | 2011-08-01 |
| 公开日期 | 2015-09-23 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13572]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang S,Lian WT,Lv HB,et al. Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode[J]. IEEEELECTRONDEVICELETTERS,2011. |
| APA | Zhang S.,Lian WT.,Lv HB.,Liu Q.,Long SB.,...&Liu M.(2011).Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode.IEEEELECTRONDEVICELETTERS. |
| MLA | Zhang S,et al."Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode".IEEEELECTRONDEVICELETTERS (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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