本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法。所述存储器包括：半导体衬底，所述衬底中形成源、漏区域；形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构，其中，所述栅介质层自衬底开始依次包括：隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个电荷存储区以及隔离在所述两个电荷存储区之间及上层的阻挡层；形成于所述阻挡层之上的控制栅电极；覆盖所述控制栅电极的钝化保护层，通过所述钝化保护层，从所述控制栅电极及源、漏区域引出金属互联。通过本发明，可以避免出现二位串扰及源端注入现象，提高器件的可靠性。