一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王艳 ; 张森; 刘琦; 龙世兵; 李颖弢; 刘明; 连文泰
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| 发表日期 | 2014-12-03 |
| 专利号 | CN201110090834.2 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法。所述基于TiOx的忆阻器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极之间设有TiOx存储介质层。本发明解决了现有忆阻器制作成本高的问题，同时该忆阻器的制作工艺简单，与传统CMOS工艺兼容性好。 |
| 公开日期 | 2012-10-17 |
| 申请日期 | 2011-04-12 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14747]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王艳,张森,刘琦,等. 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法. CN201110090834.2. 2014-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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