本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容；所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连，源极与另一条所述字线相连，漏极与所述位线相连；所述动态存储电容的一端与所述浮栅存储器件的源极相连，另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件，同时具有动态存储器的功耗低，速度快的优点，又能够实现非挥发性的存储。