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提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法

文献类型:专利

作者刘明; 刘琦; 吕杭炳; 龙世兵; 连文泰
发表日期2014-07-02
专利号CN201110023200.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态;以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本发明提供的提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法采用电流扫描的方式能极大地改善高阻状态的分布,从而提高电阻转变存储器参数分布的均一性。

公开日期2012-07-25
申请日期2011-01-20
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14791]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,刘琦,吕杭炳,等. 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法. CN201110023200.5. 2014-07-02.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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