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一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法

文献类型:专利

作者刘琦; 谢常青; 王艳; 李颖弢; 吕杭炳; 龙世兵; 刘明
发表日期2015-02-04
专利号CN201110131693.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法。所述方法包括以下步骤:将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台;在金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件;在形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层;以所述保护层为掩膜,对两端半导体器件进行减薄形成薄片;对两端半导体器件的薄片进行分割,形成多个独立的TEM测试样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题,避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤,减小了样品制备的难度,提高了样品制备的成功率,大大降低了样品的制备成本。

公开日期2012-11-21
申请日期2011-05-20
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14821]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘琦,谢常青,王艳,等. 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法. CN201110131693.4. 2015-02-04.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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