Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin L(靳磊) ; Liu M(刘明); Jiang DD(姜丹丹); Huo ZL(霍宗亮); Wang Y(王艳); Zheng ZW(郑志威); Yang XN(杨潇楠)
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2015 |
| 公开日期 | 2016-05-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14897]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin L,Liu M,Jiang DD,et al. Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015. |
| APA | Jin L.,Liu M.,Jiang DD.,Huo ZL.,Wang Y.,...&Yang XN.(2015).Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | Jin L,et al."Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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