Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li Y(李阳) ; Long SB(龙世兵); Liu Y(刘洋); Hu C(胡晨); Teng J(腾蛟); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Jordi Sune; Liu M(刘明)
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| 刊名 | Nanoscale Research Letters
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| 出版日期 | 2015-10-26 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-05-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14907]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Y,Long SB,Liu Y,et al. Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory[J]. Nanoscale Research Letters,2015. |
| APA | Li Y.,Long SB.,Liu Y.,Hu C.,Teng J.,...&Liu M.(2015).Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory.Nanoscale Research Letters. |
| MLA | Li Y,et al."Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory".Nanoscale Research Letters (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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