Analysis of the contact resistance in amorphous InGaZnO thin film transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang W(王伟); Li L(李泠) ; Lu CY(陆丛研); Xu GW(徐光伟); Ji ZY(姬濯宇); Liu M(刘明); Liu Y(刘宇); Lv HB(吕杭炳)
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| 刊名 | Applied Physics Letters
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| 出版日期 | 2015-08-14 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-05-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14911]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang W,Li L,Lu CY,et al. Analysis of the contact resistance in amorphous InGaZnO thin film transistors[J]. Applied Physics Letters,2015. |
| APA | Wang W.,Li L.,Lu CY.,Xu GW.,Ji ZY.,...&Lv HB.(2015).Analysis of the contact resistance in amorphous InGaZnO thin film transistors.Applied Physics Letters. |
| MLA | Wang W,et al."Analysis of the contact resistance in amorphous InGaZnO thin film transistors".Applied Physics Letters (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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