Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM
文献类型：会议论文
| 作者 | Liu Q(刘琦) ; Xu XX(许晓欣); Zhang MY(张美芸); Wang GM(王国明); Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Sun HT(孙海涛); Lv HB(吕杭炳); Li Y(李阳)
|
| 出版日期 | 2015-06-29 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15240]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu Q,Xu XX,Zhang MY,et al. Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。