The TID effects of RRAM based oxide material
文献类型：会议论文
| 作者 | Wang Y(王艳) ; Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦); Liu J(刘璟); Bi JS(毕津顺)
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| 出版日期 | 2015-09-14 |
| 英文摘要 | RRAM exhibit highly stable characteristics under TID radiation. But different radiation effects are shown in the RRAM based different oxide. The radiation effects in RRAM based HfO2 and SiO2 are test and analyzed. |
| 会议录 | RADECS2015
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| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15246]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Y,Liu M,Long SB,et al. The TID effects of RRAM based oxide material[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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