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Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM

文献类型:会议论文

作者Liu M(刘明); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦); Xu DL(许定林); Zhang KK(张科科); Lv HB(吕杭炳); Writam Banerjee; Long SB(龙世兵)
出版日期2015-09-27
会议录International Conference on Solid State Devices and Materials
语种英语
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/15256]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu M,Sun HT,Liu Q,et al. Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM[C]. 见:.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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