Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM)
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhang MY(张美芸); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明) ; Liu HT(刘红涛); Xu XX(许晓欣); Luo Q(罗庆); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Xu DL(许定林); Li Y(李阳)
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| 出版日期 | 2015-06-02 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15260]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang MY,Lv HB,Liu M,et al. Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM)[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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